掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫MaskAlignmentSystem.

一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。

Photolithography（光刻）意思是用光來(lái)制作一個(gè)圖形（工藝）；

在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過(guò)程將器件或電路結構臨時(shí)“復制”到硅片上的過(guò)程

光刻機一般根據操作的簡(jiǎn)便性分為三種，手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)

A手動(dòng)：指的是對準的調節方式，是通過(guò)手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來(lái)完成對準，對準精度可想而知不高了；

B半自動(dòng)：指的是對準可以通過(guò)電動(dòng)軸根據CCD的進(jìn)行定位調諧；

C自動(dòng)：指的是從基板的上載下載，曝光時(shí)長(cháng)和循環(huán)都是通過(guò)程序控制，自動(dòng)光刻機主要是滿(mǎn)足工廠(chǎng)對于處理量的需要，恩科優(yōu)的NXQ8000系列可以一個(gè)小時(shí)處理幾百片